Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMG302PU-7
MOSFET P-CH 25V 170MA SOT23-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMG302PU
DMG302PU-7 Hakkında
DMG302PU-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 25V drain-source gerilimi ve 170mA sürekli dren akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, load switching ve sinyal kontrolü gibi uygulamalarda tercih edilir. 4.5V gate geriliminde maksimum 10Ω RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, taşınabilir cihazlar, IoT modülleri ve düşük voltajlı kontrol devreleri için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 170mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.35 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 27.2 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 330mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10Ohm @ 200mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | -8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok