Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMG2305UXQ-7
MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMG2305UXQ
DMG2305UXQ-7 Hakkında
DMG2305UXQ-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi ve 4.2A sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 52mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp anahtarlamayı sağlar. Batarya yönetimi, güç dağıtım devreleri, yük anahtarlaması ve sinyal kontrol uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir ve 1.4W maksimum güç tüketimi ile kompakt tasarımlara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.2 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 808 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.4W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52mOhm @ 4.2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok