Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMG2302UKQ-13

MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 T&R 1

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
DMG2302UKQ

DMG2302UKQ-13 Hakkında

DMG2302UKQ-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 2.8A sürekli dren akımı ile çalışır. 90mOhm maksimum açık durum direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. SOT-23-3 (SC-59) yüzey montajlı pakette sunulur. -55°C ile 150°C arasında işletme sıcaklığında çalışabilen bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi devreleri ve hafif yük sürücü devreleri gibi alanlarda kullanılır. ±12V maksimum kapı gerilimi ve 2.8nC kapı yükü özellikleri hızlı ve kontrollü anahtarlama işlemini mümkün kılar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 130 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 660mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Supplier Device Package SOT-23-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok