Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMG2301U-7
MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT23-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMG2301U
DMG2301U-7 Hakkında
DMG2301U-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilim ve 2.5A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, düşük sinyal anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. SOT-23-3 (TO-236-3) yüzey montaj paketi içinde gelen DMG2301U-7, kompakt tasarımlar için ideal bir seçenektir. 130mOhm maksimum Rds(on) değeri ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, batarya koruma devreleri, DC-DC dönüştürücüler, ve yük anahtarlaması uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Gate tarafında ±8V maksimum Vgs ve 1V threshold voltajı ile kontrol edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.5 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 608 pF @ 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 800mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 2.8A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok