Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMG2301L-7
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMG2301L
DMG2301L-7 Hakkında
DMG2301L-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilim desteği ile maksimum 3A drain akımı sağlayabilir. SOT-23-3 yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, 120mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük kaybı tercih eden uygulamalarda kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve maksimum 1.5W güç tüketimi içinde tasarlanmıştır. Geçiş hızı düşük olan 5.5nC gate charge sayesinde kontrollü anahtarlama gerektiren DC-DC dönüştürücüler, yük anahtarlaması ve sinyal kontrolü uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.5 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 476 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 2.8A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok