Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMG10N60SCT
MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMG10N60SCT
DMG10N60SCT Hakkında
DMG10N60SCT, Diodes Incorporated tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paket tipinde sunulan bu bileşen, 12A sürekli drain akımı ve 750mOhm (10V, 5A) on-state direnci ile çalışır. 178W maksimum güç tüketim kapasitesine sahip olan transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında kullanılabilir. Vgs(th) değeri 4V olup, maksimum gate-source voltajı ±30V'dir. Endüstriyel uygulamalarda, güç dönüştürme sistemlerinde, motor sürücülerinde ve anahtar devrelerde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1587 pF @ 16 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 178W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok