Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMG1012TQ-7
MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- SOT-523
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMG1012TQ
DMG1012TQ-7 Hakkında
DMG1012TQ-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi ve 630mA sürekli drain akımı ile karakterize edilen bu bileşen, SOT-523 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 4.5V gate geriliminde 400mΩ maksimum RDS(on) değerine sahip olan cihaz, düşük güç tüketimi ve kompakt boyutu sayesinde taşınabilir cihazlar, güç yönetimi devreleri, anahtarlama uygulamaları ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı, geniş sıcaklık koşullarında güvenilir işlem sağlamaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 630mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.74 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 60.67 pF @ 16 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-523 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 280mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 600mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-523 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±6V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok