Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMG1012T-13
MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523 T&R
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- SOT-523
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMG1012T
DMG1012T-13 Hakkında
DMG1012T-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 630mA sürekli dren akımı kapasitesiyle düşük güç uygulamalarında kullanılır. SOT-523 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 400mΩ maksimum on-resistance değeri ile anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında ve sinyal kontrol sistemlerinde yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans sağlayan DMG1012T-13, düşük kapasitans (60.67pF @ 16V) ve düşük gate charge (0.737nC @ 4.5V) özellikleri sayesinde hızlı anahtarlama gerektiren uygulamalara uygundur. Maksimum 280mW güç dağılımı kapasitesiyle mobil cihazlar, tüketici elektroniği ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 630mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.737 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 60.67 pF @ 16 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-523 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 280mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 600mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-523 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±6V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok