Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DI012N60D1
MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
- Üretici
- Diotec Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DI012N60D1
DI012N60D1 Hakkında
DI012N60D1, Diotec Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim ve 12A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç dönüştürücüleri, motor kontrol uygulamaları ve enerji yönetim sistemlerinde tercih edilir. 260mΩ maksimum on-direnci ile düşük ısı kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. 130W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1210 pF @ 150 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 130W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 260mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252-3, DPak |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok