Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
CZDM1003N TR
MOSFET N-CH 100V 3A SOT-223
- Üretici
- Central Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- CZDM1003N
CZDM1003N TR Hakkında
CZDM1003N TR, Central Semiconductor tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj kapasitesi ve 3A sürekli drain akımı ile orta güçlü anahtarlama uygulamalarında kullanılır. SOT-223 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 150mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük ısı kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen CZDM1003N, anahtarlama devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde, motor kontrollerinde ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. 2W maksimum güç tüketimi ile sınırlı alan gerektiren tasarımlara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 975 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | 20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok