Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
CTLDM8120-M621H TR
MOSFET P-CH 20V 950MA TLM621H
- Üretici
- Central Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 6-XFDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- CTLDM8120
CTLDM8120-M621H TR Hakkında
CTLDM8120-M621H TR, Central Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj ve 950mA sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 150mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sunar. 6-XFDFN SMD paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve düşük voltaj DC-DC dönüştürücülerinde kullanılmaktadır. -65°C ile +150°C arasında çalışabilir. Not: Bu ürün üretimi sonlandırılmıştır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 950mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.56 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 200 pF @ 16 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-XFDFN Exposed Pad |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 950mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | TLM621H |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | 8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok