Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

CTLDM8002A-M621H TR

MOSFET P-CH 50V 280MA TLM621H

Paket/Kılıf
6-XFDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
CTLDM8002A

CTLDM8002A-M621H TR Hakkında

CTLDM8002A-M621H TR, Central Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 50V drain-source gerilimi ve 280mA sürekli drain akımı ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 6-XFDFN SMD paket içinde sunulan bu bileşen, düşük Rds(on) değeri (2.5Ω @ 10V, 500mA) ile güç verimliliği sağlar. -65°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, özellikle güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 1.6W maksimum güç tüketimi ile kompakt tasarımlarda yer bulur. Maksimum gate gerilimi 20V ve kapı gerilim eşiği 2.5V @ 250µA'dır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 280mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.72 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 70 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-XFDFN Exposed Pad
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package TLM621H
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) 20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok