Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
CSD25310Q2T
MOSFET P-CH 20V 20A 6WSON
- Üretici
- Texas Instruments
- Paket/Kılıf
- 6-WDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- CSD25310Q2T
CSD25310Q2T Hakkında
CSD25310Q2T, Texas Instruments tarafından üretilen bir P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilim ve 20A sürekli drenaj akımı ile çalışır. 6-WSON (2x2) yüzey montajlı paket kullanır. Bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve gemi sürme (battery switching) uygulamalarında kullanılır. Maksimum RDS(on) değeri 23.9mOhm olup 4.5V gate geriliminde ölçülmüştür. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 2.9W maksimum güç dağılımına dayanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.7 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 655 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-WDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.9W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23.9mOhm @ 5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-WSON (2x2) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok