Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
CSD25303W1015
MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
- Üretici
- Texas Instruments
- Paket/Kılıf
- 6-UFBGA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- CSD25303
CSD25303W1015 Hakkında
CSD25303W1015, Texas Instruments tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj kapasitesi ile 3A sürekli dren akımını destekler. 6-UFBGA paket tipi ile yüksek yoğunluklu uygulamalarda kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 58mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları, batarya yönetim sistemleri ve düşük voltaj DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. Bileşen artık üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.3 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 435 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-UFBGA, DSBGA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 58mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-DSBGA (1x1.5) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok