Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
CSD25301W1015
MOSFET P-CH 20V 2.2A 6DSBGA
- Üretici
- Texas Instruments
- Paket/Kılıf
- 6-UFBGA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- CSD25301W1015
CSD25301W1015 Hakkında
Texas Instruments CSD25301W1015, P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi, 2.2A sürekli drenaj akımı ve 75mOhm maksimum RDS(On) değeriyle tasarlanmıştır. 6-DSBGA yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, düşük güç uygulamalarında anahtar ve amplifikasyon görevlerini yerine getirir. Güç yönetimi, batarya şarj devreleri, ve düşük voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 1.5W güç dağıtabilir. Not: Bu parça üretimi durdurulmuş (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 270 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-UFBGA, DSBGA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-DSBGA (1x1.5) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok