Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
CSD25213W10
MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA
- Üretici
- Texas Instruments
- Paket/Kılıf
- 9-UFBGA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- CSD25213W10
CSD25213W10 Hakkında
CSD25213W10, Texas Instruments tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltajı ve 1.6A sürekli drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 4-DSBGA (1x1mm) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük Rds(on) değeri (47mOhm @ 1A, 4.5V) sayesinde anahtarlama uygulamalarında kullanıldığında enerji kaybını minimize eder. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Güç yönetimi, batarya uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler ve düşük voltaj sinyal anahtarlaması gibi alanlarda kullanım için uygun bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.9 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 478 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-UFBGA, DSBGA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 47mOhm @ 1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 4-DSBGA (1x1) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | -6V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok