Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
CSD25211W1015
MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA
- Üretici
- Texas Instruments
- Paket/Kılıf
- 6-UFBGA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- CSD25211W1015
CSD25211W1015 Hakkında
CSD25211W1015, Texas Instruments tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj desteği ile 3.2A sürekli drenaj akımına sahiptir. 33mΩ maksimum Rds(on) değeri sayesinde düşük kanal direnci sağlar. 6-DSBGA yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışmaktadır. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, load switching ve batlı sistemlerde kontrol devreleri gibi çeşitli endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.1 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 570 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-UFBGA, DSBGA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-DSBGA (1x1.5) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | -6V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok