Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
CSD25202W15T
MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA
- Üretici
- Texas Instruments
- Paket/Kılıf
- 9-UFBGA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- CSD25202W15T
CSD25202W15T Hakkında
CSD25202W15T, Texas Instruments tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 4A sürekli drenaj akımı ile çalışan bu bileşen, 26mΩ maksimum RDS(on) değeri sayesinde düşük ısıl kayıplar sağlar. 9-UFBGA/DSBGA yüzey montajlı paketinde sunulan transistör, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Geniş sıcaklık aralığı ve kompakt boyutu ile anahtarlama, güç yönetimi ve ters kutup koruması uygulamalarında kullanılır. 4.5V gate sürme geriliminde optimize edilmiş özellikleri ile taşınabilir cihazlar, batarya yönetim sistemleri ve endüstriyel kontrol devrelerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1010 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 9-UFBGA, DSBGA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 9-DSBGA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | -6V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.05V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok