Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
CSD23203WT
MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA
- Üretici
- Texas Instruments
- Paket/Kılıf
- 6-UFBGA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- CSD23203
CSD23203WT Hakkında
CSD23203WT, Texas Instruments tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 8V drain-source voltajına ve 3A sürekli drenaj akımına sahiptir. 6-DSBGA (1x1.5mm) yüzey montajlı paketinde sunulur. Metal-oxide teknolojisine dayalı bu FET, 19.4mΩ RDS(on) değeriyle düşük kayıp uygulamalarda kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışan bileşen, 750mW maximum güç dissipasyonuna sahiptir. Açma gerilimi 1.1V (250µA'de) ve 6.3nC gate charge (4.5V'de) özellikleriyle hızlı anahtarlama gerektiren portable cihazlar, pil yönetim sistemleri, güç dağıtım uygulamaları ve analog anahtarlama devrelerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.3 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 914 pF @ 4 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-UFBGA, DSBGA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 750mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19.4mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-DSBGA (1x1.5) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | -6V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok