Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

CSD23203W

MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA

Paket/Kılıf
6-UFBGA
Seri / Aile Numarası
CSD23203W

CSD23203W Hakkında

CSD23203W, Texas Instruments tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 8V drain-source voltaj ve 3A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 6-DSBGA paket içerisinde sunulan bu bileşen, yüksek entegrasyon gerektiren uygulamalarda kullanılır. Düşük RDS(on) değeri (19.4mOhm @ 4.5V) sayesinde güç kaybını minimize eder. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) ile endüstriyel ve consumer uygulamalarında, güç yönetimi, batarya koruma devreleri, load switching ve analog switch uygulamalarında tercih edilir. Metal Oxide teknolojisi ile üretilmiş bu transistör, mobil cihazlar, IoT ürünleri ve taşınabilir elektronik cihazlarda yaygın olarak kullanılmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 8 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 914 pF @ 4 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-UFBGA, DSBGA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19.4mOhm @ 1.5A, 4.5V
Supplier Device Package 6-DSBGA (1x1.5)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) -6V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok