Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
CSD23202W10T
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
- Üretici
- Texas Instruments
- Paket/Kılıf
- 9-UFBGA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- CSD23202W10T
CSD23202W10T Hakkında
CSD23202W10T, Texas Instruments tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source gerilimi ve 2.2A sürekli dren akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 53mOhm on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 4-DSBGA (1x1mm) yüzeye monte paketinde sunulur. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve batarya yönetim sistemlerinde kullanılır. Düşük kapasitans ve hızlı komütasyon özellikleri ile mobil cihazlar ve taşınabilir elektronik ürünlerde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.8 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 512 pF @ 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-UFBGA, DSBGA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 53mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | 4-DSBGA (1x1) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | -6V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok