Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
CSD23201W10
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
- Üretici
- Texas Instruments
- Paket/Kılıf
- 4-UFBGA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- CSD23201W10
CSD23201W10 Hakkında
CSD23201W10, Texas Instruments tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source gerilimi (Vdss) ile tasarlanmış olup, maksimum 2.2A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 4.5V gate geriliminde 82mOhm on-state direnci ile düşük enerji kaybı sağlar. Surface mount 4-DSBGA (1x1mm) paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Maksimum 1W güç tüketimi ile tasarlanmıştır. Düşük gate charge (2.4nC @ 4.5V) ve düşük input kapasitansi (325pF @ 6V) hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmaya uygundur. Güç yönetimi, batarya koruma devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Kompakt boyutu ve düşük açılış direnci nedeniyle portatif cihazlar ve IoT uygulamalarında tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.4 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 325 pF @ 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-UFBGA, DSBGA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 82mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | 4-DSBGA (1x1) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | -6V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok