Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
CSD19538Q3AT
MOSFET N-CH 100V 15A 8VSON
- Üretici
- Texas Instruments
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- CSD19538Q3AT
CSD19538Q3AT Hakkında
CSD19538Q3AT, Texas Instruments tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 15A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 59mOhm maksimum on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 8-PowerVDFN (8-VSONP 3x3.3mm) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Güç yönetimi uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir. Maksimum 2.8W (Ta) güç tüketimiyle entegre sistem tasarımlarında verimli çözüm sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 454 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.8W (Ta), 23W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 59mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-VSONP (3x3.3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok