Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

CSD19538Q3A

MOSFET N-CH 100V 15A 8VSON

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
CSD19538Q3A

CSD19538Q3A Hakkında

CSD19538Q3A, Texas Instruments tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source gerilim (Vdss) ile 15A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 8-PowerVDFN (8-VSONP 3x3.3) yüzey montajlı paketinde sunulmaktadır. 59mOhm maksimum on-direnç (Rds On) değeriyle düşük kayıp uygulamalarda kullanılabilir. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklık aralığına ve ±20V gate gerilim toleransına sahiptir. 4.3nC gate charge ve 454pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. Motor kontrolü, DC-DC konvertörler, güç yönetimi ve anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 454 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.8W (Ta), 23W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 59mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package 8-VSONP (3x3.3)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok