Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
CSD19538Q2T
MOSFET N-CH 100V 13.1A 6WSON
- Üretici
- Texas Instruments
- Paket/Kılıf
- 6-WDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- CSD19538Q2T
CSD19538Q2T Hakkında
CSD19538Q2T, Texas Instruments tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 13.1A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 6-WSON (2x2) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük 59mOhm RDS(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında düşük güç kaybı sağlar. Geniş sıcaklık aralığında (-55°C ile 150°C) çalışabilir. Güç yönetimi, motor kontrolü, LED sürücüsü ve anahtarmalı güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 454 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-WDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 20.2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 59mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | 6-WSON (2x2) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok