Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
CSD19537Q3T
MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
- Üretici
- Texas Instruments
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- CSD19537Q3T
CSD19537Q3T Hakkında
CSD19537Q3T, Texas Instruments tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 50A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 14.5mΩ on-resistance değeriyle düşük ısı kaybı sağlar. 8-VSON (3.3x3.3mm) yüzey montaj paketinde sunulur. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu bileşen, SMPS güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Gate charge değeri 21nC olup hızlı anahtarlama özelliği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1680 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.8W (Ta), 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.5mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-VSON (3.3x3.3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.6V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok