Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

CSD19536KCS

MOSFET N-CH 100V 150A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
CSD19536KCS

CSD19536KCS Hakkında

CSD19536KCS, Texas Instruments tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source gerilim ve 150A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmaktadır. 2.7mΩ on-resistance değeri ile düşük ısı kaybı sağlar. TO-220-3 paket tipinde Through Hole montajı destekler. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip bu bileşen, güç dönüştürücüleri, motor kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve endüstriyel elektronik sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 10V gate geriliminde 3.2V threshold voltage değerine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 150A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 12000 pF @ 50 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7mOhm @ 100A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok