Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
CSD19535KTT
MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
- Üretici
- Texas Instruments
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- CSD19535K
CSD19535KTT Hakkında
CSD19535KTT, Texas Instruments tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltaj kapasitesi ve 200A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-263-4 (DDPAK) SMD paketinde sunulan bu komponent, 3.4mΩ maksimum On-resistance değerine sahiptir. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir ve 300W güç disipasyonuna dayanır. Gate charge 98nC ve input capacitance 7930pF'dir. Endüstriyel sürücüler, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 98 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7930 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | DDPAK/TO-263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok