Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

CSD19533Q5AT

MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
CSD19533Q5AT

CSD19533Q5AT Hakkında

CSD19533Q5AT, Texas Instruments tarafından üretilen 100V/100A kapasiteli N-Channel MOSFET transistördür. 8-PowerTDFN (5x6mm) SMD paketinde sunulan bu bileşen, yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. 9.4mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük kondüksiyon kayıpları sağlar. 35nC gate charge ve 2670pF input capacitance değerleri ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, güç dönüştürücü, motor sürücü, switched-mode power supplies (SMPS) ve diğer yüksek akımlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum 3.2W (Ta) güç disipasyonunda çalışabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2670 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.2W (Ta), 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.4mOhm @ 13A, 10V
Supplier Device Package 8-VSONP (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok