Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

CSD19533Q5A

MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
CSD19533Q5A

CSD19533Q5A Hakkında

Texas Instruments CSD19533Q5A, 100V drain-source voltaj ile tasarlanmış N-Channel MOSFET'tir. 100A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere geliştirilmiştir. 8-PowerTDFN (5x6mm) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 9.4mΩ maksimum RDS(on) değeriyle düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Anahtarlama uygulamaları, AC/DC dönüştürücüler, güç kaynakları ve motor kontrol devreleri gibi yüksek akım ihtiyaç duyan endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2670 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.2W (Ta), 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.4mOhm @ 13A, 10V
Supplier Device Package 8-VSONP (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok