Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

CSD19532Q5BT

MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
CSD19532Q5BT

CSD19532Q5BT Hakkında

CSD19532Q5BT, Texas Instruments tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltajı ve 100A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 4.9mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 8-PowerTDFN (8-VSON-CLIP 5x6) SMD paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrolü ve doğru akım dönüştürücü (DC-DC converter) uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında kararlı performans gösterir. Düşük gate charge (62nC) ve input capacitance (4810pF) değerleri hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4810 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 195W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.9mOhm @ 17A, 10V
Supplier Device Package 8-VSON-CLIP (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok