Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

CSD19532Q5B

MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
CSD19532Q5B

CSD19532Q5B Hakkında

CSD19532Q5B, Texas Instruments tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj, 100A maksimum sürekli dren akımı ve 4.9mOhm RDS(on) değeriyle düşük kayıp uygulamalar için tasarlanmıştır. 8-PowerTDFN (5x6mm) yüzey montajlı paket içerisinde sunulur. Güç yönetimi, motor kontrol sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler, enerji dağıtım sistemleri ve endüstriyel anahtar uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığına ve 195W ısıl yönetim kapasitesine sahiptir. 62nC gate charge ve düşük input capacitance (4810pF) ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4810 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 195W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.9mOhm @ 17A, 10V
Supplier Device Package 8-VSON-CLIP (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok