Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
CSD19532KTT
MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
- Üretici
- Texas Instruments
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- CSD19532
CSD19532KTT Hakkında
CSD19532KTT, Texas Instruments tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltaj ile 200A sürekli akım kapasitesine sahip olan bu bileşen, yüksek güç uygulamalarında anahtarlama görevini yerine getirir. DDPAK/TO-263-3 paketinde sunulan komponent, 5.6mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Gate charge özellikleri ve geniş sıcaklık aralığı (-55°C ~ 175°C) sayesinde endüstriyel, otomotiv ve elektrik dönüştürücü uygulamalarında kullanılır. 250W güç yayabilme kapasitesi ile zorlu çalışma koşullarına uygun bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 57 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5060 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.6mOhm @ 90A, 10V |
| Supplier Device Package | DDPAK/TO-263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok