Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
CSD19531Q5AT
MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
- Üretici
- Texas Instruments
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- CSD19531Q5A
CSD19531Q5AT Hakkında
CSD19531Q5AT, Texas Instruments tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source geriliminde 100A sürekli drenaj akımı sağlayabilen yüksek akım kapasiteli bir yarıiletkentir. 8-PowerTDFN (5x6mm) yüzey montajlı paket ile sunulmaktadır. 10V gate geriliminde 6.4mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate şarj miktarı 48nC olup hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışır. Güç yönetimi, motor kontrol, DC-DC konvertörler ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilen bir komponenttir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3870 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.3W (Ta), 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.4mOhm @ 16A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-VSONP (5x6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok