Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

CSD19501KCS

MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
CSD19501K

CSD19501KCS Hakkında

CSD19501KCS, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source voltajında 100A sürekli akım kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 6.6mOhm (10V, 60A'da) düşük on-state direnci sayesinde ısı kayıplarını minimize eder. Motor kontrolü, güç kaynağı devreleri, DC/DC konvertörler ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında güvenli şekilde çalışabilir ve maksimum 217W güç saçabilir. Gate threshold voltajı 3.2V'tur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3980 pF @ 40 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 217W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.6mOhm @ 60A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok