Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

CSD18543Q3AT

MOSFET N-CH 60V 12A/60A 8VSON

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
CSD18543Q3AT

CSD18543Q3AT Hakkında

CSD18543Q3AT, Texas Instruments tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 12A (Ta) / 60A (Tc) kontinü drenaj akımı ile tasarlanmıştır. 4.5V gate sürüş gerilimine sahip olup, maksimum 15.6mΩ RDS(on) değerine ulaşır. 8-PowerVDFN (8-VSON 3x3.15mm) yüzey montajlı pakete sahiptir. Düşük kapasitans değerleri (Ciss 1150pF) ve hızlı anahtarlama özellikleri ile güç yönetimi, LED sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Ta), 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Feature Standard
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1150 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 66W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.6mOhm @ 12A, 4.5V
Supplier Device Package 8-VSONP (3x3.15)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.7V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok