Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

CSD18537NQ5AT

MOSFET N-CH 60V 50A 8VSON

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
CSD18537NQ

CSD18537NQ5AT Hakkında

CSD18537NQ5AT, Texas Instruments tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim (Vdss) ve 50A sürekli dren akımı (Id) kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılır. 8-PowerTDFN (5x6mm) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük Rds(on) değeri (13mOhm @ 10V) sayesinde enerji kaybını minimize eder. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. Gate charge (Qg) 18nC olup, hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1480 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.2W (Ta), 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 12A, 10V
Supplier Device Package 8-VSONP (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok