Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
CSD18536KTT
MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK
- Üretici
- Texas Instruments
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- CSD18536KTT
CSD18536KTT Hakkında
Texas Instruments CSD18536KTT, 60V drain-source gerilim kapasitesine ve 200A sürekli drain akımına sahip N-Channel MOSFET'tir. 1.6mOhm (10V, 100A koşullarında) düşük on-resistance ile karakterize edilmiş bu transistör, yüksek akım uygulamalarında ısı yönetimini kolaylaştırır. 140nC gate charge ve 11430pF input capacitance özellikleriyle hızlı switching işlemleri destekler. TO-263 (DDPAK) paketinde sunulan komponent, -55°C ile +175°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Güç kaynakları, motor sürücüleri, DC-DC konvertörleri, ağır yük anahtarlama uygulamaları ve endüstriyel güç elektronikleri sistemlerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 140 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11430 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 375W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | DDPAK/TO-263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok