Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

CSD18535KTTT

MOSFET N-CH 60V 200A/279A DDPAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
CSD18535K

CSD18535KTTT Hakkında

CSD18535KTTT, Texas Instruments tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 200A (Ta) / 279A (Tc) sürekli drenaj akımı ile yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. 2mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Surface Mount DDPAK (TO-263) paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışır. Güç dönüştürücüleri, motor kontrol devreleri, elektrikli araç sistemleri ve ağır akım anahtarlama uygulamalarında kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 200A (Ta), 279A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6620 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2mOhm @ 100A, 10V
Supplier Device Package DDPAK/TO-263-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok