Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

CSD18535KTT

MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
CSD18535KTT

CSD18535KTT Hakkında

CSD18535KTT, Texas Instruments tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltajı ve 200A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 2mΩ (10V gate voltajında 100A akımda) düşük on-resistance değeri ısıl verimliliği artırır. TO-263 (DDPAK) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor denetim devreleri, DC-DC konvertörleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olup, 300W maksimum güç saçılımı kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 200A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6620 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2mOhm @ 100A, 10V
Supplier Device Package DDPAK/TO-263-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok