Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

CSD18532NQ5BT

MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
CSD18532NQ5BT

CSD18532NQ5BT Hakkında

CSD18532NQ5BT, Texas Instruments tarafından üretilen 60V 100A kapasiteli N-Channel MOSFET transistördür. 8-PowerTDFN (5x6) yüzeye monte paketinde sunulan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (3.4mOhm @ 10V) sayesinde güç uygulamalarında yüksek verimlilik sağlar. Sürekli drenaj akımı 100A, maksimum kanal açılış gerilimi 3.4V olan bu FET, motor kontrol, güç dönüştürme, anahtarlama uygulamaları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen ürün, 60V drain-source gerilim sınırlaması ile çeşitli güç elektronik tasarımlarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5340 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package 8-VSON-CLIP (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok