Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

CSD18510KTT

MOSFET N-CH 40V 274A DDPAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
CSD18510K

CSD18510KTT Hakkında

CSD18510KTT, Texas Instruments tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 274A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 1.7mΩ düşük on-state direnci (Rds On) ile enerji kaybı minimize edilir. TO-263-3 (DDPAK) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, motor sürücüleri, güç yönetimi devreleri, anahtarlama uygulamaları ve endüstriyel denetim sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışabilir ve 250W güç disipasyonu kapasitesi sunar. 10V gate sürüş geriliminde 153nC gate charge ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 274A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 11400 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 250W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.7mOhm @ 100A, 10V
Supplier Device Package DDPAK/TO-263-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok