Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

CSD17579Q5AT

MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
CSD17579Q5AT

CSD17579Q5AT Hakkında

CSD17579Q5AT, Texas Instruments tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 25A sürekli drain akımı kapasitesiyle düşük güç kaybı gerektiren anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 8-PowerTDFN (8-VSONP 5x6) yüzeye monte paketinde sunulan bu bileşen, 9.7mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli güç yönetimi sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen komponent, DC-DC konvertörleri, güç dağıtım sistemleri, motor sürücüleri ve yüksek frekanslı anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. ±20V maksimum gate gerilimi ve 2V eşik gerilimi ile güvenli ve hızlı anahtarlama özelliği sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 25A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1030 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.7mOhm @ 8A, 10V
Supplier Device Package 8-VSONP (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok