Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

CSD17579Q3AT

MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
CSD17579Q3AT

CSD17579Q3AT Hakkında

CSD17579Q3AT, Texas Instruments tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj ve 20A sürekli drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 8-PowerVDFN (8-VSONP 3x3.3mm) paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-state direnci (Rds On) sayesinde güç yönetimi uygulamalarında verimli çalışır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, güç dönüştürücüler, anahtarlama devreler, motor sürücüleri ve DC-DC konverterler gibi uygulamalarda kullanılır. 10V kapı voltajında 10.2mΩ maksimum on-state direnci ve 1.9V eşik voltajı ile hızlı komütasyon ve düşük güç kaybı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 998 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.2W (Ta), 29W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.2mOhm @ 8A, 10V
Supplier Device Package 8-VSONP (3x3.3)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.9V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok