Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

CSD17556Q5BT

MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
CSD17556Q5B

CSD17556Q5BT Hakkında

CSD17556Q5BT, Texas Instruments tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim ve 100A sürekli drain akımı kapasitesiyle yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 1.4mΩ RDS(on) direnci ile düşük güç kaybı sağlar. 8-PowerTDFN (5x6) yüzey montajlı paket içerisinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 191W güç dağıtabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7020 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 191W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4mOhm @ 40A, 10V
Supplier Device Package 8-VSON-CLIP (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.65V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok