Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
CSD17552Q3A
MOSFET N-CH 30V 15A/60A 8SON
- Üretici
- Texas Instruments
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- CSD17552Q3A
CSD17552Q3A Hakkında
CSD17552Q3A, Texas Instruments tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj kapasitesiyle tasarlanan bu bileşen, 15A sürekli drain akımı (Ta) ve 60A TC koşullarında çalışma kapasitesi sağlar. 8-SON (3.3x3.3) yüzey montajlı pakette sunulan transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışır. 10V gate geriliminde 6mOhm maksimum RdsOn değeriyle düşük iletim kayıpları gösterir. Gate eşik gerilimi 1.9V @ 250µA olup, ±20V maksimum gate-source gerilimi destekler. 2.6W maksimum güç harcaması ve 12nC gate yükü özellikleriyle anahtarlama devrelerinde, motor kontrol uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. Geniş sıcaklık aralığı ve düşük RdsOn değeri sayesinde verimli güç tasarımları için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Ta), 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2050 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.6W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SON (3.3x3.3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.9V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok