Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

CSD17318Q2T

MOSFET N-CHANNEL 30V 25A 6WSON

Paket/Kılıf
6-WDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
CSD17318Q2T

CSD17318Q2T Hakkında

CSD17318Q2T, Texas Instruments tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V Drain-Source gerilimi ve 25A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 6-WSON (2x2) yüzeye monte paketi ile kompakt tasarımlara uyum sağlar. 15.1mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) ve ±10V maksimum gate gerilimi ile endüstriyel ve tüketici uygulamalarında güç yönetimi, motor kontrolü, LED sürücüleri ve DC-DC dönüştürücülerde tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 25A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 8V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 879 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-WDFN Exposed Pad
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 16W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.1mOhm @ 8A, 8V
Supplier Device Package 6-WSON (2x2)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±10V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok