Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

CSD17313Q2T

MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON

Paket/Kılıf
6-WDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
CSD17313Q2T

CSD17313Q2T Hakkında

CSD17313Q2T, Texas Instruments tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 5A sürekli drain akımı kapasitesiyle çalışır. 6-WSON (2x2) yüzey montaj paketi içinde sunulan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (30mΩ @ 8V) sayesinde verimli güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, şarj kontrolü, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve genel anahtarlama uygulamalarında yer alır. 2.4W (Ta) güç dağılımı ve düşük gate charge (2.7nC) özellikleriyle hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 3V, 8V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 340 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-WDFN Exposed Pad
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.4W (Ta), 17W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 4A, 8V
Supplier Device Package 6-WSON (2x2)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) +10V, -8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok