Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
CSD17313Q2Q1T
MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
- Üretici
- Texas Instruments
- Paket/Kılıf
- 6-WDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- CSD17313Q2Q1T
CSD17313Q2Q1T Hakkında
CSD17313Q2Q1T, Texas Instruments tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ve 5A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 6-WSON SMD paket ile kompakt tasarımlara uyum sağlar. 8V gate geriliminde 30mΩ Rds(On) değeri ile düşük kaybı ve hızlı anahtarlama özelliği sunar. Endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında güç anahtarı, motor sürücü ve DC-DC dönüştürücü devreleri gibi alanlarda tercih edilir. -55°C ile +150°C işletme sıcaklık aralığında çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 3V, 8V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.7 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 340 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-WDFN Exposed Pad |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 2.4W (Ta), 17W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 4A, 8V |
| Supplier Device Package | 6-WSON (2x2) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +10V, -8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok