Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
CSD17313Q2Q1
MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
- Üretici
- Texas Instruments
- Paket/Kılıf
- 6-WDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- CSD17313Q2Q1
CSD17313Q2Q1 Hakkında
CSD17313Q2Q1, Texas Instruments tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 5A sürekli drain akımı ile çalışabilen bu bileşen, 6-WDFN (2x2mm) paketinde sunulmaktadır. Maksimum 30mΩ on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlayan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve DC/DC dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen CSD17313Q2Q1, 8V gate drive voltajında optimize edilmiştir ve 2.3W maksimum güç tüketebilir. Surface mount teknolojisi sayesinde otomatik montaj proseslerine uygun tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 3V, 8V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.7 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 340 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-WDFN Exposed Pad |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 2.3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 4A, 8V |
| Supplier Device Package | 6-WSON (2x2) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +10V, -8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok